产品名称：MOS管 FDN327N
生产商：萨科微 Slkor
产品类型：N沟道
产品概述：
FDN327N 是由萨科微（Slkor）生产的 N沟道 MOS场效应管，设计用于低压和低功率应用。其紧凑的 SOT-23 封装和优异的电性能使其在各种小型电子设备中得到广泛应用。
电性能参数：
漏源电压（Vdss）： 20V
连续漏极电流（Id）： 2A
导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 40mΩ @ 4.5V, 2.0A
阈值电压（Vgs(th)@Id）： 0.7V @ 250uA
封装类型： SOT-23
产品特点：
低压应用： 20V 的漏源电压适用于低压电路设计。
低功率： 连续漏极电流为 2A，适用于低功率需求的场合。
小型封装： SOT-23 封装适用于有限空间和轻量化设计。
应用领域：
便携式设备： 用于移动电话、数码相机等低功耗电子设备。
电源管理： 在小型电源单元中发挥作用。
传感器接口： 适用于传感器信号调理和驱动。
注意： 以上信息仅供参考，请查阅详细的产品规格表以获取准确和*新的数据。如需更多信息或特定要求，请随时联系我们。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| FDN327N SOT-23.pdf | FDN327N SOT-23 | - |
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SL2304是一款N沟道低压MOS管，具有30V的漏源电压，可承受3.3A的连续漏极电流，*大功率为0.35W。它具有较低的导通电阻，即在10V电压和3.2A电流下的导通电阻为60mΩ，这使得它在低压应用中具有较好的效率和可靠性。
SL3405是由萨科微（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
萨科微slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
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